13
03/11
Прохождение через кристалл
Прохождение через кристалл интенсивных ударных волн вызывает образование дефектов. Возникающие в кристалле дефекты могут в ряде случаев обусловливать термолюминесценцию. Это явление применительно к кварцу рассматривается в статье Серебренникова и др. (1982). При самых низких импульсных давлениях большая часть образующихся дефектов имеет структурный характер (к ним относятся вакансии и ионы с измененной валентностью). Авторы исследовали образцы кварца из взрывной брекчии метеоритного кратера методами термолюминесценции, рентгенолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса. Для термолюминесценции наблюдались максимумы при 365, 470 и 610-680 нм. Изучение методом ЭПР показало присутствие электронных центров типа Е, и дырочных центров. Считается, что они вызваны вакансиями, в том числе образующимися при замещении Si4+ на Al31 и (или) Fe3 + .
Статья Макларена и др. (McLaren et al., 1983) посвящена исследованию водяных пузырьков в синтетическом кварце. Эти пузырьки выявляются с помощью измерений интенсивности рассеянного света; об их появлении можно также судить по степени возрастания объема кристалла в зависимости от температуры и времени нагревания. Микроструктуры исследовались под трансмиссионным электронным микроскопом. Предложенное автором объяснение механизма основано на допущении вхождения водорода в структуру кварца в виде дефектов. При нагревании кристалла дефекты диффундируются с образованием кластеров. Кластер, состоящий из п (4Н)5(, вызывает образование водяною пузырька с (п — 1) Н20 без какого-либо изменения объема кристалла. При некоторой температуре Г имеется некоторый критический диаметр пузырька, выше которого давление пара Р превышает давление р, соответствующее механическому равновесию пузырька с вмещающим его кристаллом. Если Р становится больше р, пузырек увеличивается в объеме вплоть до Р = р, причем рост объема достигается путем диффузии Б1 и О по каналам из пузырька в связанную с ним ловушку на краевой дислокации. Такой процесс сопровождается заметным увеличением объема кристалла. Два диффузионных процесса протекают одновременно до тех пор, пока все дефекты (4Н)5, не будут поглощены пузырьками.